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XR3330M
双N沟道，20V MOSFET
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- 描述
- 特性：采用TrenchFET技术。 出色的导通电阻。 低栅极电荷。 高功率和电流处理能力。 表面贴装封装。 ESD等级：2000V HBM
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR3330M
- 商品编号
- C42456717
- 商品封装
- DFN3030-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.827nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
XR120N02是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。XR120N02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 出色的导通电阻(RDS(on))
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 表面贴装封装
- 静电放电(ESD)等级:2000V人体模型(HBM)