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DMN3110LCP3-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.2A
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- 描述
- 这款新一代 MOSFET 专为减少手持和移动应用中的占用空间而设计。它可用于替代许多占用空间极小的小信号 MOSFET。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3110LCP3-7
- 商品编号
- C443826
- 商品封装
- X2-DSN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.023克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.52uC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代 MOSFET 专为减小手持和移动应用中的占位面积而设计。它可以凭借极小的占位面积替代许多小信号 MOSFET。
商品特性
- 低栅极电荷(Qg)和栅漏电荷(Qgd)
- 小占位面积
- 低外形,高度仅 0.30mm
- 完全无铅且完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护-手持和移动应用