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JTD3400
- 30V，6.0A, 10V内阻27MΩ
- 描述
- 30V，6.0A, 10V内阻27MΩ
- 品牌名称
- JTD(晶泰达)
- 商品型号
- JTD3400
- 商品编号
- C42443456
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 66pF |
商品特性
- 先进沟槽技术
- 出色的开关特性
- 扩展安全工作区
- 超低栅极电荷：Qg = 62.7nC（典型值）
- VDSS = 250V，ID = 90A
- 漏源导通电阻：15.5mΩ（典型值）@VG = 10V
- 100%雪崩测试