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ESE01P30K
P沟道，-100V，-35A，38mΩ@-10V,-20A，-1.7V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- ESE01P30K 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESE01P30K
- 商品编号
- C42434097
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.469882克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 119W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 151pF |
商品概述
ESE01P30K是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESE01P30K为无铅产品。
商品特性
- 100V, RDS(ON) = 38 m Ω(典型值), VGS = -10 V;RDS(ON) = 42 m Ω(典型值), VGS = -4.5 V
- 快速开关
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换