温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
EST03P06
P沟道，-60V，-3.1A，80mΩ@-10V,-3A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- P沟道，-60V，-3.1A，80mΩ@-10V,-3A，-1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- EST03P06
- 商品编号
- C42434104
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 131mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
EST03P06是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计,在低栅极电荷下可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品EST03P06为无铅产品。
商品特性
- -60V,RDS(ON) = 80 mΩ(典型值)@ VGS = -10 V
- RDS(ON) = 101 mΩ(典型值)@ VGS = -4.5 V
- 快速开关
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换