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AO3406(ES)
N沟道，30V，4.3A，34mΩ@10V,3.6A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- AO3406(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- AO3406(ES)
- 商品编号
- C42434120
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
AO3406(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的漏源导通电阻（R_DS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 AO3406(ES) 为无铅产品。
商品特性
- 30 V，在栅源电压（VGS） = 10 V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 34 mΩ（典型值）
- 在栅源电压（VGS） = 4.5 V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 50 mΩ（典型值）
- 采用沟槽 MOSFET 技术
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式 PC 的电源管理
- DC/DC 转换