温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI2319(ES)
P沟道，-40V，-3A，65mΩ@-10V,-1.2A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：68mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- SI2319(ES)
- 商品编号
- C42434110
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0309克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 111mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 316pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 37pF |
商品概述
SI2319(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 SI2319(ES) 为无铅产品。
商品特性
- -40V,RDS(ON) = 65 m Ω(典型值)@ VGS = -10 V
- RDS(ON) = 88 m Ω(典型值)@ VGS = -4.5 V
- 快速开关
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式 PC 的电源管理
- DC/DC 转换