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AO6405(ES)
P沟道，-30V，-4.7A，46mΩ@-10V,-4.7A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- AO6405(ES)是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- AO6405(ES)
- 商品编号
- C42434118
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
SI2305CDS(ES)是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品SI2305CDS(ES)为无铅产品。
商品特性
- 12V，VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 29 mΩ（典型值）
- VGS = -2.5 V时，RDS(ON) = 45 mΩ（典型值）
- VGS = -1.8 V时，RDS(ON) = 67 mΩ（典型值）
- 快速开关
- 高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换