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IRFR220NTRPBF(ES)
N沟道，200V，5A，466mΩ@10V,3A，2V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- IRFR220NTRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- IRFR220NTRPBF(ES)
- 商品编号
- C42434103
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.392克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 560mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 495pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 24pF |
商品概述
采用最新Trench 14低欧姆分裂栅技术的汽车级N沟道MOSFET，具备超低漏源导通电阻（RDSon）能力，采用LFPAK56封装。该产品经过全面设计和认证，符合AEC-Q101要求，具备高性能和耐用性。
商品特性
- 200V,RDS(ON) = 466 m Ω(典型值)@VGS = 10V
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换