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SI2308A(ES)
N沟道，60V，3A，75mΩ@10V,3A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 带ESD防护 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：75mΩ@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- SI2308A(ES)
- 商品编号
- C42434101
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 352pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
SI2305A(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷下提供出色的导通电阻(RDS(ON))。该器件适用于直流 - 直流转换、电源开关和充电电路。标准产品SI2308A(ES)为无铅产品。
商品特性
- 60V,在VGS = 10V时,RDS(ON) = 75 mΩ(典型值)
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 85 mΩ(典型值)
- 高密度单元设计,实现低导通电阻
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- 直流/直流转换