温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRLR8726TRPBF(ES)
N沟道，30V，68.6A，4mΩ@10V,20A，2.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- IRLR8726TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- IRLR8726TRPBF(ES)
- 商品编号
- C42434096
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.8896克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 41.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.916nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 217pF |
商品概述
IRLR8726TRPBF(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品IRLR8726TRPBF(ES)为无铅产品。
商品特性
- 30V,RDS(ON) = 4.0 m Ω(典型值),VGS = 10 V
- RDS(ON) = 7.1 m Ω(典型值),VGS = 4.5 V
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换