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IGZ100N65H5XKSA1
650V 161A
- 描述
- 特性：高速H5技术。 由于采用开尔文发射极引脚与TRENCHSTOP™ 5相结合，实现超低损耗开关。 在硬开关和谐振拓扑中具有同类最佳效率。 可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。应用：不间断电源。 焊接转换器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGZ100N65H5XKSA1
- 商品编号
- C42434069
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 161A | |
| 耗散功率(Pd) | 536W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@100A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC@100A,15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6.56nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 421ns | |
| 导通损耗(Eon) | 850uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 770uJ | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
总价金额：
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