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IKB30N65EH5ATMA1
650V 55A
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- 描述
- 特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。 650V击穿电压。 低栅极电荷Qg。 IGBT与全额定电流RAPID 1快速反并联二极管共封装。 最高结温175°C。 无铅镀铅，符合RoHS标准。应用：能源发电-太阳能串式逆变器-太阳能微型逆变器。 工业电源-工业开关电源-工业不间断电源
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKB30N65EH5ATMA1
- 商品编号
- C42434071
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 55A | |
| 耗散功率(Pd) | 188W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@30A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@0.3mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@30A,15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.8nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 24ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 159ns | |
| 导通损耗(Eon) | 870uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 300uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 75ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
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