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D8V0L1B2LPQ-7B-HXY

双向ESD 8V截止峰值浪涌电流：6A

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描述: 此款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD）设计用于提供精确的过电压保护，具有6A的峰值脉冲电流IPP，能在瞬时高电流事件中维持电路安全。其工作电压VRWM为8V，确保在正常操作条件下不会触发保护机制。元件拥有极低的10皮法（pF）电容CJ，几乎不对信号造成延迟或失真，非常适合高速数据线的应用。作为单通道双向TYPE保护器，它可以在两个方向上有效地抑制瞬态过电压，适用于各类电子设备中的敏感接口，保障设备免受静电放电和其他瞬态电压事件的影响。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: D8V0L1B2LPQ-7B-HXY
商品编号: C42416649
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.010256克(g)

商品参数

D8V0L1B2LPQ - 7B 旨在保护电压敏感元件，防止其因静电放电（ESD）而损坏或发生闩锁。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，为电路板级暴露于 ESD 的设计提供了同类最佳的保护。由于其尺寸小且采用双向设计，它非常适合用于手机、MP3 播放器以及需要音频线路保护的便携式应用。