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VESD05A1-02V-G3-08-HXY
单向ESD 5V截止
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- 描述
- 此款静电和浪涌保护器件，属于TVS/ESD保护系列，具备15A的峰值脉冲电流IPP承载能力，能够在瞬态电压事件中迅速响应并限制电压上升。其额定工作电压VRWM为5V，适用于多种低电压电路环境。器件拥有180皮法（pF）的极间电容CJ，确保在高速信号线路中引入的延迟和失真最小。该保护元件设计为单通道、单向（Uni）类型，非常适合用于需要精准保护电子设备的应用场景，如数据接口和通讯线路等，能有效防止因静电放电和电压瞬变引起的损坏。
- 商品型号
- VESD05A1-02V-G3-08-HXY
- 商品编号
- C42416655
- 商品封装
- SOD-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.016333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 20V | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 250W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 6.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 180pF |
商品概述
该器件可保护敏感半导体元件免受静电放电及其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或干扰。其具备出色的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间，为可能遭受静电放电的设计提供了同类防护。该器件为设计者提供了灵活性，可在不适用阵列的应用中保护一条单向线路。
商品特性
- 小型封装外形尺寸
- 低封装高度
- 击穿电压：5V
- 在8×20 µs脉冲条件下，峰值功率可达250W
- 低泄漏电流
- 响应时间典型值小于1 ns
- 符合人体模型Class 3级静电放电等级
- 符合IEC61000-4-2 Level 4级静电放电防护标准
- 符合IEC61000-4-4 Level 4级电快速瞬变脉冲群防护标准
- 符合RoHS要求
应用领域
- 不适用保护阵列的单向线路保护应用