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NNCD18DT-HXY

单向ESD 18V截止峰值浪涌电流：10A

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描述: 此静电和浪涌保护器件采用Bi双向设计，适用于1通道线路，能够有效保护敏感电子设备免受瞬态过电压事件的影响。其反向工作电压（VRWM）为18V，确保在常规操作电压下保持稳定，不影响信号传输质量。该器件的IPP峰值脉冲电流可达10A，能够在遭遇电压突变时迅速反应，提供即时保护。电容值CJ仅为20pF，对信号完整性影响极小，同时保证了快速响应特性。适用于各类需要可靠电压保护的应用场景，如消费类电子产品中的数据接口和通信线路，确保内部电路的安全与稳定运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NNCD18DT-HXY
商品编号: C42416652
商品封装: SOD-323
包装方式: 编带
商品毛重: 0.02047克(g)

商品参数

NNCD18DT器件可保护敏感的半导体组件免受静电放电（ESD）及其他电压感应瞬态事件造成的损坏或干扰。其卓越的钳位能力、低漏电流、低电容和快速响应时间为暴露于ESD环境的设计提供了同类防护。该器件为设计人员提供了灵活性，可在不适用阵列的应用中保护一条单向线路。封装形式为SOD-323。