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SI2319DS-T1-GE3(ES)
P沟道，-40V,，-2.3A，110mΩ@-10V,-2A，-1.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- SI2319DS-T1-GE3(ES)
- 商品编号
- C42412240
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V；150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 230pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 27pF |
商品概述
P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。
商品特性
- -40V,RDS(ON) = 110 m Ω(典型值),VGS = -10 V
- RDS(ON) = 150 m Ω(典型值),VGS = -4.5 V
- 快速开关
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换