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AGM025N10H
耐压:100V 电流:180A
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流（Id）：180A功率(Pd）：250W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：2.7mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：131nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：9.2nF@50V ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM025N10H
- 商品编号
- C42411650
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.696克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 131nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.13nF |
商品概述
IRF540NS-MNS采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 100 V，ID = 35 A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 30mΩ
- 高密度单元设计，降低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源