AGMH03N10C
耐压:100V 电流:160A
- 描述
- 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):160A 功率(Pd):215W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):130nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):7.47nF@40V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) ;
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGMH03N10C
- 商品编号
- C42411665
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.726克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 215W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.47nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 930pF |
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