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AGM85P10AP
耐压:100V 电流:19A
- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：19A 功率(Pd)：79W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：86mΩ@10V,10A 栅极电荷(Qg@Vgs)：72nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.7nF@40V ,工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM85P10AP
- 商品编号
- C42411652
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.086克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
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