温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AGMH022P10D
耐压:100V 电流:65A
- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：65A 功率(Pd)：140W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：52nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：4.276nF@50V ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGMH022P10D
- 商品编号
- C42411658
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.418克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.276nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 336pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单