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AGM418MAP
N沟道+P沟道 耐压:40V 电流:18A
- 描述
- 类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：18A/-18A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@10V,5A;20mΩ@-10V,-5A ; 栅极电荷(Qg@Vgs)：8.9nC@10V;20nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.616nF@20V;1.572nF@-20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM418MAP
- 商品编号
- C42411661
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.096克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V；20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA；1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.9nC@10V；20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.572nF；616pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF；95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF；82pF |
商品概述
AGM418MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)），可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- 主板/显卡核心电压
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器