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AGM204D
耐压:20V 电流:110A
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：52W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.6mΩ@4.5V,30A 栅极电荷(Qg@Vgs)：65nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：3.452nF@10V ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM204D
- 商品编号
- C42411655
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.404克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@2.5V；2.6mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.452nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 398pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 521pF |
商品概述
IRFZ44N-MNS采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 60 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 15 mΩ
- 高密度单元设计，降低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
- 100%经过UIS测试！
- 100%经过DVDS测试！
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源