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DMG1012T

1个N沟道 耐压:20V 电流:800mA

描述
1个N沟道 耐压:20V 电流:800mA
商品型号
DMG1012T
商品编号
C42385153
商品封装
SOT-523​
包装方式
编带
商品毛重
0.026767克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)800mA
导通电阻(RDS(on))200mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)312mW
阈值电压(Vgs(th))600mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)1nC@4.5V
输入电容(Ciss)38.2pF
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)14.4pF

数据手册PDF