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DMG1012T
1个N沟道 耐压:20V 电流:800mA
- 描述
- 1个N沟道 耐压:20V 电流:800mA
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- DMG1012T
- 商品编号
- C42385153
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 312mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 38.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 14.4pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这项先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效率快速开关应用。
商品特性
- 20V、800mA,RDS(ON) = 200mΩ(VGS = 4.5V时)
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- ESD防护高达2KV
- 提供环保型器件
应用领域
- 笔记本电脑
- 负载开关
- 电池保护
- 手持仪器
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