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EST3400
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：21mΩ@10V,5.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- EST3400
- 商品编号
- C42385176
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
EST3400是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品EST3400为无铅产品。
商品特性
- 30V，栅源电压（VGS）= 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）= 21 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS）= 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）= 25 mΩ（典型值）
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC转换