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ESD3066DN33
N沟道，30V，45A，4.0mΩ@10V,20A，1.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：45A 功率(Pd)：30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.0mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.75V@250uA
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESD3066DN33
- 商品编号
- C42385166
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.75V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 242pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 275pF |
商品概述
ESD3066DN33是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESD3066DN33为无铅产品。
商品特性
- 30V，@VGS = 10V时，RDS(ON)=4.0mΩ（典型值）
- @VGS = 4.5V时，RDS(ON)=6.5mΩ（典型值）
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低导通态漏源电阻（RDS(ON)）
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换