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ESA50N03BD
N沟道，30V，65A，4.0mΩ@10V,30A，1.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：65A 功率(Pd)：42W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.0mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.75V@250uA
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESA50N03BD
- 商品编号
- C42385169
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V；6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.75V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.036nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 444pF |
商品概述
ESA50N03BD 是一款 N 型增强型 MOS 场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术及设计，能在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（R_DS(ON)）。此器件适用于直流-直流转换、功率开关以及充电电路。标准产品 ESA50N03BD 为无铅产品。
商品特性
- 30V 工作电压，当栅源电压（VGS）为 10V 时，典型导通电阻（RDS(ON)）为 4 毫欧
- 当栅源电压（VGS）为 4.5V 时，典型导通电阻（RDS(ON)）为 6 毫欧
- 采用沟槽型 MOSFET 技术
- 采用高密度单元设计，以实现低导通电阻（RDS(on)）
- 材质：无卤素
- 可靠且耐用
- 具有雪崩防护能力
- 泄漏电流低
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- 直流/直流转换