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ES50N06
N沟道,60V,20.0A,26mΩ@10.0V,20A,1.5V@250uA；应用领域：功率开关、高频开关、不间断电源等。
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20.0A 功率(Pd)：33W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@10.0V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ES50N06
- 商品编号
- C42385173
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V；33mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 860pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
ES50N06是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ES50N06为无铅产品。
商品特性
- 60V，栅源电压为10V时，漏源导通电阻 = 26 mΩ（典型值）
- 栅源电压为4.5V时，漏源导通电阻 = 33 mΩ（典型值）
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻
- 材料：无卤素
- 可靠且耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC转换