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ESD90P06DN56实物图
  • ESD90P06DN56商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ESD90P06DN56

P沟道,-30V,-45A,8.0mΩ@-20A,-1.5V@-250uA;应用领域:锂电池保护板、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

描述
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-30V 连续漏极电流(Id):-45A 功率(Pd):38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.0mΩ@-20A,-10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.5V@-250uA
品牌名称
ElecSuper(静芯)
商品型号
ESD90P06DN56
商品编号
C42385167
商品封装
PDFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.177148克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))8.5mΩ@10V;12.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)38W
阈值电压(Vgs(th))1.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)36nC@10V
输入电容(Ciss)1.98nF
反向传输电容(Crss)260pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)335pF

商品概述

ESD90P06DN56是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通态漏源电阻(RDS(ON))。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESD90P06DN56为无铅产品。

商品特性

  • -30V,栅源电压(VGS) = -10V时,导通态漏源电阻(RDS(ON)) = 8.5mΩ(典型值)
  • 栅源电压(VGS) = -4.5V时,导通态漏源电阻(RDS(ON)) = 12.5mΩ(典型值)
  • 快速开关
  • 高密度单元设计,实现低导通态漏源电阻(RDS(ON))
  • 材料:无卤
  • 可靠耐用
  • 雪崩额定
  • 低漏电流

应用领域

-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换

数据手册PDF