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ESD30L40DN-ES
P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-31A 功率(Pd)：42W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：13.0mΩ@-10V,-29A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.5V@-250uA
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESD30L40DN-ES
- 商品编号
- C42385168
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V；17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.23nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF@15V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
ESD30L40DN-ES 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 ESD30L40DN-ES 为无铅产品。
商品特性
- -30V，栅源电压（VGS） = -10 V 时，导通态漏源电阻（RDS(ON)） = 13 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = -4.5 V 时，导通态漏源电阻（RDS(ON)） = 17 mΩ（典型值）
- 快速开关
- 高密度单元设计，实现低导通态漏源电阻（RDS(ON)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式 PC 的电源管理
- DC/DC 转换