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LSG70R1KGT实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LSG70R1KGT

1个N沟道 耐压:700V 电流:4A

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商品型号
LSG70R1KGT
商品编号
C439150
商品封装
TO-252-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.466克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)4A
属性参数值
导通电阻(RDS(on))1.08Ω@10V,2A
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))4.5V@250uA

商品概述

这款MOSFET旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 额定温度高达+175°C,适用于高温环境
  • 100%非钳位电感开关,确保终端应用更可靠、更耐用
  • 低RDS(ON),将功率损耗降至最低
  • 低QG,将开关损耗降至最低
  • 无铅涂层,符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,为“绿色”器件
  • 符合AEC-Q101高可靠性标准
  • 另有符合汽车应用标准的产品(DMTH6004SK3Q),数据手册单独提供

应用领域

  • 发动机管理系统
  • 车身控制电子系统
  • DC-DC转换器
  • 电机控制

数据手册PDF