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LND12N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:12A
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LND12N60
- 商品编号
- C439153
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.96nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
AON7405采用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷下提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 符合RoHS标准且无卤
- 经过100% UIS测试
- 经过100%栅极电阻（Rg）测试
- 绿色环保产品
应用领域
-负载开关-电池保护