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LNG7N60D
1个N沟道 耐压:600V 电流:7A
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LNG7N60D
- 商品编号
- C439212
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.856克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.6nC@0~10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.112nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 高密度单元设计，具有低导通状态漏源电阻（RDS(on)）
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
- 高饱和电流能力
- 2KV HBM静电防护
应用领域
- 便携式设备负载开关
- DC/DC转换器