- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.7nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 111pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低RDS(on)
- 低栅极电荷(典型值Qg = 20.7 nC)
- 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-功率因数校正-开关模式电源-LED驱动器