温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LND2N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LND2N65
- 商品编号
- C439240
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 低栅极电荷（典型栅极电荷Qg = 41.9 nC）
- 100%进行了非钳位感应开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-功率因数校正。-开关模式电源。-LED驱动器。