温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 77W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低RDS(ON)
- 低栅极电荷（典型值Qg = 12 nC）
- 100%进行UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正-开关模式电源-LED驱动器