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LNE10N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- 功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LNE10N65
- 商品编号
- C439226
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.622nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 144.2pF |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低漏源导通电阻RDS(on)
- 低栅极电荷（典型值Qg = 34.2 nC）
- 100%进行了非钳位感应开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正-开关模式电源-LED驱动器
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