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LND12N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
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- 描述
- 该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此生产出的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。漏源击穿电压（VDSS）650V，漏极电流（ID）12A，最大导通电阻（RDS(on)）0.8Ω，典型栅极电荷（Qg）41.9nC
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LND12N65
- 商品编号
- C439221
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
商品概述
LonFET™功率MOSFET采用先进的超结技术制造。由此制成的器件具有极低的导通电阻，特别适用于要求高功率密度和卓越效率的应用。
商品特性
- 超低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 超低栅极电荷（典型栅极电荷（Qg）= 23 nC）
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-功率因数校正(PFC)-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)