温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LND12N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此生产出的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。漏源击穿电压（VDSS）650V，漏极电流（ID）12A，最大导通电阻（RDS(on)）0.8Ω，典型栅极电荷（Qg）41.9nC
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LND12N65
- 商品编号
- C439221
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
近期成交3单