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LND2N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:2A
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- 描述
- 功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此产生的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LND2N60
- 商品编号
- C439218
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 36pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低RDS(on)
- 低栅极电荷(典型值Qg = 10.2 nC)
- 100%进行了UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正
- 开关模式电源
- LED驱动器