温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LNF10N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:10A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。漏源击穿电压（VDSS）600V，漏极电流（ID）10A，最大导通电阻（RDS(on)）0.9Ω，典型栅极电荷（Qg）31.4 nC
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LNF10N60
- 商品编号
- C439159
- 商品封装
- TO-262-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.62nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |