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LNC12N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:12A
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- 描述
- 该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此生产出的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。漏源极击穿电压（VDSS）600V，漏极电流（ID）12A，导通电阻最大值（RDS(on)）0.75Ω，栅极总电荷典型值（Qg,typ）40.8 nC
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LNC12N60
- 商品编号
- C439152
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.96nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
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购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
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