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LSH70R1KGT
1个N沟道 耐压:700V 电流:4A
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- 描述
- 采用先进的超结技术制造。具有极低的导通电阻，特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSH70R1KGT
- 商品编号
- C439151
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.684克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.08Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 513pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@25V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度高达+175°C，适用于高温环境
- 100%非钳位电感开关，确保终端应用更可靠、更耐用
- 低RDS(ON)，将功率损耗降至最低
- 低QG，将开关损耗降至最低
- 无铅涂层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 另有符合汽车应用标准的产品（DMTH6004SK3Q），数据手册单独提供
应用领域
- 发动机管理系统
- 车身控制电子系统
- DC-DC转换器
- 电机控制