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CMS65N03L
N沟道 30V 15A
- 描述
- MOS管，SOP-8，N沟道，耐压：30V，电流：15A，10V内阻：8.3mΩ，4.5V内阻：13mΩ，功率：3W，CISS(Typ)：1150PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS65N03L
- 商品编号
- C41433032
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用Cmos先进的平面条形DMOS技术制造。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改进的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 适配器
- 电源
- 大电流、高速开关