HC1M45065J
ID:49A VDSS:650V RDON:33mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有49A的连续排水电流（ID），并且能够承受最高650V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）仅为45毫欧，这意味着在导通状态下电力损耗极低。该器件适合应用于要求高效能和低热量产生的电子设计中，例如在精密电源管理系统、高速数字电路以及需要快速开关特性的设备中，都能发挥其优异的性能表现。
- 商品型号
- HC1M45065J
- 商品编号
- C41428800
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.072克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@18V |