温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HC1M40120J
ID:68A VDSS:1200V RDON:40mR N沟道
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款碳化硅场效应管（MOSFET）具有68A的最大电流承载能力（ID），能够承受高达1200V的漏源电压（VDSS），展现出了卓越的耐压性能。其导通电阻（RDSON）仅为40毫欧，意味着在导通状态下能有效减少能量损耗，提升系统的整体效率。作为一款N沟道类型器件，它适用于要求严苛的电源转换场景中，如高性能计算设备的电源模块、消费电子产品中的开关电源等，能够提供可靠的高频开关性能。
- 商品型号
- HC1M40120J
- 商品编号
- C41428801
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.219608克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 耗散功率(Pd) | 326W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.766nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 125pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@18V |
商品特性
- 第三代碳化硅MOSFET技术
- 带有独立驱动源引脚的优化封装
- 高阻断电压和低导通电阻
- 低电容的高速开关
- 低反向恢复电荷(Qrr)的快速本征二极管
- 无卤，符合RoHS标准
应用领域
- 可再生能源
- 电动汽车电池充电器
- 高压DC/DC转换器
- 开关模式电源