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HC2M0045170P
ID:72A VDSS:1700V RDON:45mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具备72A的电流处理能力（ID），并支持高达1700V的漏源电压（VDSS），确保了在高压环境下的稳定运行。其低至45毫欧的导通电阻（RDSON）有助于降低热损耗，提高电路效率。适用于需要高效能与高可靠性的电源管理解决方案，例如在复杂电子设备中的电源转换单元或精密电子装置内的功率调节模块中，能够发挥出色的开关特性。
- 商品型号
- HC2M0045170P
- 商品编号
- C41428802
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.513333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 耗散功率(Pd) | 338W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 204nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.455nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.7pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 171pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |