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G020N03K
G020N03K
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：140A 阈值电压(Vgs(th))：2.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：1.8mΩ@10V 2.5mΩ@4.5V 封装：TO-252
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G020N03K
- 商品编号
- C41413514
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@4.5V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 5.655nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 851pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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