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PJM20H02NSC
N沟道 耐压:200V 电流:1.5A 停产
- 描述
- N沟道，VDS=200V ID=1.5A ,PD:1.25W RDS(ON)<700mΩ@Vgs=10V
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM20H02NSC
- 商品编号
- C41413534
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CMSC045N15采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于服务器同步整流及通用应用。
商品特性
-先进沟槽技术-符合RoHS和REACH标准-无卤素和锑-湿气敏感度等级3
应用领域
-同步降压转换器应用