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RU6888S-VB
1个N沟道,耐压：60V，电流：150A
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,60V；150A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RU6888S-VB
- 商品编号
- C41370400
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 220W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 715pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 用于移动计算-负载开关-笔记本电脑适配器开关-DC/DC转换器
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