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SI4496DY-T1-E3-VB
1个N沟道,耐压：100V，电流：10A
- 描述
- SOP8；N—Channel沟道,100V；10A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4496DY-T1-E3-VB
- 商品编号
- C41370408
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.735nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 经过100%栅极电阻（Rg）和非钳位感应开关（UIS）测试
应用领域
- 笔记本电脑核心
- 电压调节模块（VRM）/负载点（POL）
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